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回路構成は、友人の設計した2石式単純回路の新型アンプである。 |
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FETには、高順伝達アドミタンスの2SK2955，2SJ554を使用し、電流負帰還を減らすために、ソース抵抗を排除し、ソース同士を直結とした。 |
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2SK2955，2SJ554のVGSの温度係数は（－）であるので、樹脂に横穴掘りを行い、温度センサーとFETのチップ間を極限に近接化した。
この方式は、すでに、中低域用新型アンプ2号に採用し、およそ2年の実績がある。
なお、横穴掘り3号機では、横穴に挿し込む金属を銅線から銀線に変更した。 |
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ウーファーの能率を考慮し、利得は30dB（16Ω）とした。
無帰還時の利得は40dBであるので、無帰還ではないが、10dBの低帰還パワーアンプである。 |
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直流出力電圧は長時間にわたり安定である。（mVレベルにある） |
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アイドル電流を3Aとして、出力インピーダンスを約1.5Ωとした。
しかし、アイドル電流が3Aになると、巨大放熱器であっても、FETの温度上昇が大きくなる。
そこで、3mm厚の銅放熱板、デンカシートを採用し、熱抵抗を減らした。 |
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電源周りの構成は、FET10パラ低域用新型アンプに同じである。 |
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帯域幅（利得が1/√2となる周波数）はおよそ400Hzであり、ウーファーの分割振動領域をパワーアンプ自身で減衰させることが出来る。 |
